Rambus日前針對電腦、遊戲與繪圖等市場，推出多項第三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(DDR3 SDRAM)及動態隨機存取記憶體(DRAM)創新技術，協助設計人員開發更低功耗、低成本、高傳輸速率與大容量的動態隨機存取記憶體。
 |
| Rambus策略研發總監Michael Ching指出，該公司將於今年9月在舊金山舉行的英特爾科技論壇中展出XDR記憶體系統。 |
Rambus策略研發總監Michael Ching表示，多核心運算、繪圖、高傳輸運算及虛擬化處理器相繼問世，讓系統耗電量問題甚囂塵上，加上各國法規對電腦、伺服器系統耗電量限制日益嚴格，都將促使高效能、低耗電的第三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體需求大增。
正因記憶體子系統為現今運算系統效能受限主因，為達成低功耗、高資料速率和大容量要求，Rambus針對第三代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體主記憶體發表FlexPhase、Near Ground Signaling、FlexClocking架構、模組執行緒(Module Threading)、動態點對點(DPP)多項創新技術，可將主記憶體運算效能從現有的DDR3資料速率提升到3,200Mbit/s，並節省超過40%的整體記憶體系統功耗。
另外，有鑑於遊戲與繪圖應用對於資料速率有更高的要求，Rambus也開發出XDR記憶體系統，能以高達7.2Gbit/s的資料速率運作，且相較於第五代繪圖雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體(GDDR5)控制器，耗電量可減少三分之一。
